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반도체 학회 D-38

VLSI 2026 학회 정보 업데이트 (D-38)
— Advance Program 핵심 리뷰

Focus Sessions 8개·HB3DM·Evening Panel 패널 변경 — 메모리 변곡점

2026.05.07 | SemiHub

2026 IEEE/JSAP VLSI Symposium까지 D-38 (6월 14일~18일, 하와이 호놀룰루 Hilton Hawaiian Village). 한 달 남짓한 시점에 Advance Program이 공개되며 학회의 윤곽이 잡혔습니다.

SemiHub의 3월 가이드가 큰 그림을 잡아둔 위에, 이번에 새로 풀린 정보를 리뷰합니다. 핵심은 셋입니다.

한 줄로 묶으면 — 이번 학회는 메모리 변곡점입니다.

이 글이 다루는 것: v1 가이드(3월) 이후 새로 풀린 정보·변경된 정보의 리뷰와 분석.
학회 큰 그림과 참가 기본 정보는 VLSI 2026 참가 가이드를 함께 보세요.

한눈에 — 무엇이 새로 풀렸나

3월 가이드 시점에는 미공개였거나 윤곽만 잡혀 있던 정보들이 5월 Advance Program으로 드러났습니다. 핵심 변동을 카테고리별로 정리하면 다음과 같습니다.

카테고리v1 (3월 가이드)v2 (5월 Advance)
Plenary 4편제목·발표자 골격풀제목·핵심 메시지 정확화 (Micron·TEL)
Evening PanelJeff Choi (SK Hynix) 등 4명Hoshik Kim (SK Hynix Senior VP) 교체 + David Kanter (MLPerf) 추가, 5명
Focus Sessions미공개8개 신규 — Joint 6 + Tech-Only 2
메모리 신규 발표HBM4 예측HB3DM (Intel + SoftBank) 등장
부속 프로그램Short Course / Workshops+ Demo / Luncheon / Satellite Workshops 명시
한국 메모리 무대SK·삼성 발표자 차원3D Memory Focus Session 정식 신설 — 메인 트랙화
한 줄 요약: "VLSI 2026은 메모리 학회로 기억될 가능성이 크다." Focus Session 신설·Plenary 메시지·Evening Panel 시니어 교체·HB3DM 등장 — 4중 무대가 동시에 깔립니다.

새로 공개된 핵심 정보

1. Focus Sessions 8개 — Joint 6개 + Technology-Only 2개

Focus Session은 Technology와 Circuits 양 트랙이 합동으로 다루는 융합 세션입니다. 단일 트랙으로 잡기 어려운 핫토픽을 집중적으로 발표하는 자리. 3월 가이드 시점에는 미공개였던 8개 정식 구조가 advance program으로 드러났습니다.

구분Focus Session주목 포인트
Joint
(Tech+Circuits)
New Computing & Quantum Computing비폰노이만·양자 — Cryo-CMOS 워크숍과 연결
Design-Technology Co-Optimization (DTCO)2nm 이하 핵심 — TSMC Plenary와 직결
Advanced STCO and AI/MLSystem-Tech Co-Opt — AI 가속기 설계 핵심
HPC ConnectivityUCIe·SerDes·실리콘 포토닉스 — NVIDIA·AMD 무대
Power ManagementBSPDN·전력전달 — Intel 18A 데이터 가능성
Sensors, Imagers & Displays모바일·AR/VR·자율주행 응용
Technology
Only
Advanced 3D LogicBackside Power · 3D Stacking · CFET 선행 데이터
3D Memory (Flash & HBM) ⭐⭐HBM4 base die 로직화·HB3DM 등 메모리 메인 무대

핵심은 Technology-Only 2개입니다. 특히 "3D Memory (Flash & HBM)" Focus Session은 이번 학회의 메모리 진영 메인 무대로, SK하이닉스·삼성·Micron의 HBM4 양산 데이터부터 Intel+SoftBank의 HB3DM 데뷔까지 모두 모이는 자리입니다.

2. Plenary 제목 정확화 — Micron / TEL의 메시지 시그널

3월 시점에 일부 단축형으로 공개됐던 제목이 advance program에서 풀제목으로 정확화됐습니다. 워딩 변경 같지만 메시지 시그널이 분명합니다.

두 제목 모두 학회 테마 "Advancing the AI Frontier through VLSI Innovation"과 sync. 메모리·장비 진영 모두 "AI 시대 본인의 역할"을 명시적으로 던지는 톤입니다.

3. Evening Panel — 패널리스트 시니어 교체와 신규 추가

"AI: Grand Vision or Grand Delusion?" Evening Panel(6/15 화 8:00 PM)의 패널리스트가 5명으로 확정됐습니다. SK하이닉스 representative 교체와 신규 추가가 핵심.

v1 (3월)Jeff Choi (SK Hynix) / Kazunari Ishimaru (Rapidus) / Tom Burd (AMD) / Raja Koduri (Oxmiq Labs) — 4명
v2 (5월)Tom Burd (AMD) / Kazunari Ishimaru (Rapidus) / David Kanter (Real World Insights, MLPerf 공동 창립자) 신규 / Hoshik Kim (SK Hynix Senior VP, Memory Systems Research) 교체 / Raja Koduri (Oxmiq Labs) — 5명

두 가지 의미:

전체적으로 패널의 무게 중심이 "감각적 AI 버블 토론" → "데이터·시스템 기반 토론"으로 이동한 인상. 학회 가는 사람 입장에서 가장 의미 있는 저녁 일정 중 하나입니다.

4. HB3DM (Intel + SoftBank) — HBM의 첫 본격 경쟁자 ⭐

이번 advance program에서 가장 임팩트 있는 신규 발표. HB3DM (High-Bandwidth 3D Memory)은 Intel과 SoftBank가 공동으로 들고 나오는 차세대 3D 메모리로, HBM과 다른 아키텍처를 제안합니다. SoftBank가 자체 AI 인프라(Stargate 등) 위해 HBM 의존도를 낮추려는 시도이자, Intel이 메모리 영역에서 다시 한 번 발판을 마련하려는 카드.

HB3DM의 의미

  • HBM 3사 외부의 첫 본격 대안 — SK하이닉스·삼성·Micron 외에서 처음으로 "양산 가능성을 전제로" 나오는 3D 메모리 제안
  • SoftBank의 Arm 보유 시너지 — CPU 단까지 통합 가능한 단일 사업자가 메모리에 손대는 의미는 단순 발표를 넘음
  • 3D Memory Focus Session 신설과 sync — 마침 이번 학회에서 3D Memory가 메인 트랙으로 격상 → HB3DM 데뷔 무대로 정확
한국 메모리 산업 입장: 단기 위협은 X (양산까지 시간 필요). 단, 중장기 portfolio 분산화 압력. 특히 SoftBank가 Arm 기반 전체 AI 스택을 노리는 그림에서 메모리까지 자체화하려는 신호라면, HBM 독점 구도의 첫 균열로 봐야 함.

이번 학회에서 HB3DM 발표가 어떤 스펙(대역폭·전력·집적도)을 들고 나오는지가 이후 1~2년 메모리 산업 경쟁 구도를 가르는 첫 데이터 포인트가 됩니다.

5. Demo / Luncheon / Satellite Workshops — 부속 정보

본 학회 외 부속 프로그램도 advance program에 명시됐습니다.

메모리 변곡점 — 4중 무대 분석 ⭐

위 5개 신규 정보를 한 줄로 꿰면 결국 "VLSI 2026의 메모리 무대가 4중으로 깔린다"는 그림입니다. 따로 보면 작은 변동들이지만 묶으면 분명한 시그널입니다.

#무대역할
1Focus Session "3D Memory (Flash & HBM)"메모리 기술의 정식 메인 트랙 신설 — 이전엔 분산돼 있던 발표가 한 자리로
2Plenary #3 Micron"Memory to Power the AI Era" — 메모리 = AI 시대 동력원 포지셔닝
3Evening Panel — Hoshik KimSK하이닉스 시스템 관점 토론 — "메모리 단일 부품 → AI 시스템 변수"로 시야 확장
4HB3DM 데뷔HBM 외 첫 대안 발표 — 경쟁 구도 변화 시그널

이 4중 무대가 동시에 깔리는 근본 이유는 HBM4의 변곡점입니다. Base die가 DRAM 공정 → 로직 공정으로 전환되며 대역폭이 HBM3E 대비 2배. 이 변화가 "메모리 = 단순 부품"에서 "메모리 = AI 인프라 결정 변수"로 격상되는 신호이고, 학회 프로그램 전체가 그에 맞춰 재구성된 것입니다.

한국 메모리 산업 시각 — 기회와 위협

🟢 기회

SK하이닉스·삼성이 HBM4 base die 로직화 양산을 leader로 가져가고 있습니다. VLSI 2026은 IEDM에서 보여준 "가능성"을 양산 데이터로 증명하는 자리. 3D Memory Focus Session이 마침 신설된 만큼, 한국 메모리 발표가 학회의 메인 무대 한가운데에서 노출됩니다. 본인 발표든 청중 입장이든, 이번 학회에서 가져갈 트랙이 명확합니다.

🔴 위협

HB3DM 데뷔는 HBM 3사 독점 구도의 첫 균열 시그널. 단기 위협은 아닙니다 — HB3DM이 양산 단계까지 가려면 시간이 필요하고, HBM4의 기술 격차도 만만치 않음. 다만 SoftBank가 Arm 기반 전체 AI 스택을 노린다면 메모리 자체화는 자연스러운 수순. 한국 메모리 입장에서 이번 학회의 HB3DM 발표 스펙·로드맵을 정확히 읽어두는 게 향후 1~2년 portfolio 전략의 첫 데이터 포인트입니다.

가는 사람을 위한 결론: VLSI 2026에서 메모리 진영이라면 ① 본인/회사 발표 (HBM4 base die 로직화 양산 데이터), ② Hoshik Kim 패널 토론 (시스템 관점 인사이트), ③ HB3DM 발표 (경쟁 구도 첫 데이터) — 이 셋은 우선순위가 명확합니다.

가는 사람 D-38 체크리스트

학회 D-day 기준 시기별 액션을 정리했습니다. 한 달 남짓이면 등록·항공·숙소가 1순위, 그 다음 논문 리스트, 마지막에 현장 동선입니다.

지금 (D-38 ~ D-30) — 결재·등록·항공·숙소

학회 1주 전 (D-7) — 논문 미리 읽기·미팅 잡기

현장 (D-0 ~ D+5) — 세션 우선순위·네트워킹 동선

다음 업데이트 예고 — VLSI 2026 시리즈

시점업데이트다룰 내용
D-14 (5/31)핵심 논문 프리뷰Technical Program 공개 후 한국 기업·핫토픽 논문 추출
D-0 (6/14)현장 리포트Plenary·Focus Session 첫날 인상
D+5 (6/23)리캡학회 전체 결산·핵심 데이터·한국 기업 발표 정리

관련 SemiHub 자료

2026 반도체 학회 일정 전체 보기

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