2026 IEEE/JSAP VLSI Symposium까지 D-38 (6월 14일~18일, 하와이 호놀룰루 Hilton Hawaiian Village). 한 달 남짓한 시점에 Advance Program이 공개되며 학회의 윤곽이 잡혔습니다.
SemiHub의 3월 가이드가 큰 그림을 잡아둔 위에, 이번에 새로 풀린 정보를 리뷰합니다. 핵심은 셋입니다.
- Focus Sessions 8개의 정식 구조가 드러났습니다.
- Intel과 SoftBank가 HB3DM이라는 HBM 첫 본격 경쟁자를 들고 나옵니다.
- Evening Panel의 패널리스트가 바뀌었고, 메모리 진영의 무대가 4중으로 깔립니다.
한 줄로 묶으면 — 이번 학회는 메모리 변곡점입니다.
학회 큰 그림과 참가 기본 정보는 VLSI 2026 참가 가이드를 함께 보세요.
한눈에 — 무엇이 새로 풀렸나
3월 가이드 시점에는 미공개였거나 윤곽만 잡혀 있던 정보들이 5월 Advance Program으로 드러났습니다. 핵심 변동을 카테고리별로 정리하면 다음과 같습니다.
| 카테고리 | v1 (3월 가이드) | v2 (5월 Advance) |
|---|---|---|
| Plenary 4편 | 제목·발표자 골격 | 풀제목·핵심 메시지 정확화 (Micron·TEL) |
| Evening Panel | Jeff Choi (SK Hynix) 등 4명 | Hoshik Kim (SK Hynix Senior VP) 교체 + David Kanter (MLPerf) 추가, 5명 |
| Focus Sessions | 미공개 | 8개 신규 — Joint 6 + Tech-Only 2 |
| 메모리 신규 발표 | HBM4 예측 | HB3DM (Intel + SoftBank) 등장 ⭐ |
| 부속 프로그램 | Short Course / Workshops | + Demo / Luncheon / Satellite Workshops 명시 |
| 한국 메모리 무대 | SK·삼성 발표자 차원 | 3D Memory Focus Session 정식 신설 — 메인 트랙화 |
새로 공개된 핵심 정보
1. Focus Sessions 8개 — Joint 6개 + Technology-Only 2개
Focus Session은 Technology와 Circuits 양 트랙이 합동으로 다루는 융합 세션입니다. 단일 트랙으로 잡기 어려운 핫토픽을 집중적으로 발표하는 자리. 3월 가이드 시점에는 미공개였던 8개 정식 구조가 advance program으로 드러났습니다.
| 구분 | Focus Session | 주목 포인트 |
|---|---|---|
| Joint (Tech+Circuits) | New Computing & Quantum Computing | 비폰노이만·양자 — Cryo-CMOS 워크숍과 연결 |
| Design-Technology Co-Optimization (DTCO) | 2nm 이하 핵심 — TSMC Plenary와 직결 | |
| Advanced STCO and AI/ML | System-Tech Co-Opt — AI 가속기 설계 핵심 | |
| HPC Connectivity | UCIe·SerDes·실리콘 포토닉스 — NVIDIA·AMD 무대 | |
| Power Management | BSPDN·전력전달 — Intel 18A 데이터 가능성 | |
| Sensors, Imagers & Displays | 모바일·AR/VR·자율주행 응용 | |
| Technology Only | Advanced 3D Logic ⭐ | Backside Power · 3D Stacking · CFET 선행 데이터 |
| 3D Memory (Flash & HBM) ⭐⭐ | HBM4 base die 로직화·HB3DM 등 메모리 메인 무대 |
핵심은 Technology-Only 2개입니다. 특히 "3D Memory (Flash & HBM)" Focus Session은 이번 학회의 메모리 진영 메인 무대로, SK하이닉스·삼성·Micron의 HBM4 양산 데이터부터 Intel+SoftBank의 HB3DM 데뷔까지 모두 모이는 자리입니다.
2. Plenary 제목 정확화 — Micron / TEL의 메시지 시그널
3월 시점에 일부 단축형으로 공개됐던 제목이 advance program에서 풀제목으로 정확화됐습니다. 워딩 변경 같지만 메시지 시그널이 분명합니다.
Plenary #3 — Micron
v1: "Intelligence Accelerated: Memory Innovations"
v2: "Intelligence Accelerated: Memory Innovations to Power the AI Era"
Plenary #4 — Tokyo Electron (TEL)
v1: "AI Demand Through Equipment Innovation"
v2: "Meeting AI Demand Through Equipment Innovation and AI-Driven Manufacturing"
두 제목 모두 학회 테마 "Advancing the AI Frontier through VLSI Innovation"과 sync. 메모리·장비 진영 모두 "AI 시대 본인의 역할"을 명시적으로 던지는 톤입니다.
3. Evening Panel — 패널리스트 시니어 교체와 신규 추가
"AI: Grand Vision or Grand Delusion?" Evening Panel(6/15 화 8:00 PM)의 패널리스트가 5명으로 확정됐습니다. SK하이닉스 representative 교체와 신규 추가가 핵심.
| v1 (3월) | Jeff Choi (SK Hynix) / Kazunari Ishimaru (Rapidus) / Tom Burd (AMD) / Raja Koduri (Oxmiq Labs) — 4명 |
| v2 (5월) | Tom Burd (AMD) / Kazunari Ishimaru (Rapidus) / David Kanter (Real World Insights, MLPerf 공동 창립자) 신규 / Hoshik Kim (SK Hynix Senior VP, Memory Systems Research) 교체 / Raja Koduri (Oxmiq Labs) — 5명 |
두 가지 의미:
- SK하이닉스 → Hoshik Kim 시니어 교체. Senior VP·Memory Systems Research 직책 — "메모리 단일 부품"이 아니라 "AI 시스템 안의 메모리"를 토론할 수 있는 시야. HBM 최대 수혜 기업이 시스템 관점에서 "AI 버블인가?"를 짚는 자리
- David Kanter 신규 추가. MLPerf 공동 창립자, AI 벤치마크 권위. 토론을 "추측·관망"이 아닌 "수치·데이터" 기반으로 끌어올리는 역할 기대
전체적으로 패널의 무게 중심이 "감각적 AI 버블 토론" → "데이터·시스템 기반 토론"으로 이동한 인상. 학회 가는 사람 입장에서 가장 의미 있는 저녁 일정 중 하나입니다.
4. SAIMEMORY ZAM/HB3DM (Intel + SoftBank) — HBM 첫 본격 경쟁자 ⭐
이번 advance program에서 가장 임팩트 있는 신규 발표. Intel과 SoftBank가 합작 법인 SAIMEMORY를 통해 차세대 3D 메모리 ZAM (Z-Angle Memory) — 또는 HB3DM (High-Bandwidth 3D Memory)을 들고 나옵니다. 단순 "HBM의 다른 버전"이 아니라, 아키텍처·자본·시장 진입 경로가 모두 새로운 메모리.
📊 ZAM 핵심 스펙 한눈에
| 합작 법인 | SAIMEMORY (Intel + SoftBank JV) |
| 기술명 | ZAM (Z-Angle Memory) = HB3DM |
| 구조 | 9-layer 3D DRAM 적층 + Hybrid Bonding (TSV 미사용) |
| 성능 목표 | HBM3 대비 대역폭 2~3배, 전력 ~50% 절감 |
| 로드맵 | VLSI 2026 발표 → 2027 프로토타입 → 2029~2030 상용화 |
| 자본 구조 | SoftBank — 투자 자본 (2025년 Intel에 ~$2B 투자) Intel — 제조 expertise + 차세대 DRAM bonding 기술 |
| 전략적 동기 | SoftBank: AI 데이터센터 전력 병목 해결 Intel: 메모리 시장 재진입 (HBM 3사 독점 영역) |
여기서 가장 강한 수치는 "HBM3 대비 대역폭 2~3배 + 전력 50% 절감"입니다. 이게 양산까지 그대로 살아남는다면, AI 가속기 진영(NVIDIA·AMD·자체 ASIC)이 메모리 선택지에서 "HBM 외 옵션"을 진지하게 고려할 첫 사례가 됩니다.
ZAM이 의미하는 것 — 4가지
- HBM 3사 외부의 첫 양산형 대안 — SK하이닉스·삼성·Micron이 30년간 쌓은 DRAM 노하우 외부에서, "양산 로드맵을 명시"한 제안이 처음 등장
- 아키텍처 차별점 — TSV 대신 Hybrid Bonding으로 가는 길. Hybrid Bonding은 HBM4부터 3사도 도입 중인 기술이라 ZAM의 길이 완전히 동떨어진 건 아님 — 오히려 같은 방향에서 다른 패키징 구조
- SoftBank의 자본·Arm 시너지 — Arm 보유 + Stargate 등 자체 AI 인프라 + Intel 제조 = CPU·메모리·팹까지 단일 사업자가 통합 가능한 첫 그림
- VLSI 2026 = 정식 데뷔 무대 — 마침 이번 학회에서 "3D Memory (Flash & HBM)" Focus Session이 신설. ZAM이 이 세션에서 첫 양산 데이터를 공개할 것으로 보입니다
왜 이번 학회에서 봐야 하나: ZAM은 그동안 산업 보도 수준에서 알려졌던 프로젝트. VLSI 2026이 처음으로 실리콘 데이터 — 9-layer 적층 수율, Hybrid Bonding 정렬 정밀도, 실제 대역폭·전력 측정값이 공개되는 자리입니다. "보도된 수치"가 "측정된 수치"로 바뀌는 순간 — 이번 학회에서 가장 주목해야 할 단일 발표입니다.
5. Demo / Luncheon / Satellite Workshops — 부속 정보
본 학회 외 부속 프로그램도 advance program에 명시됐습니다.
- Demonstration Session — 15~20개 탁상 데모. 소자 특성·칩 결과·회로 혁신을 직접 보여주고, 청중 투표로 Best Demo 선정. 슬라이드로 안 잡히는 "실제 동작"을 가까이서 볼 자리
- Luncheon Presentation — CEA-Leti 신경기술. Dr. Madjid HiHi의 "Innovative Neurotechnologies — A Journey from Lab to Clinic" — WIMAGINE 무선 ECoG·자율 신경보철·BMI. 반도체가 의료 영역으로 확장되는 사례
- Satellite Workshops — 6/13~14 Silicon Nanoelectronics Workshop (IEEE EDS), 6/14 Spintronic Workshop on LSI (Tohoku University Centers). 본 학회 입장권으로 자동 참여 X, 별도 등록 필요
메모리 변곡점 — 4중 무대 분석 ⭐
위 5개 신규 정보를 한 줄로 꿰면 결국 "VLSI 2026의 메모리 무대가 4중으로 깔린다"는 그림입니다. 따로 보면 작은 변동들이지만 묶으면 분명한 시그널입니다.
| # | 무대 | 역할 |
|---|---|---|
| 1 | Focus Session "3D Memory (Flash & HBM)" | 메모리 기술의 정식 메인 트랙 신설 — 이전엔 분산돼 있던 발표가 한 자리로 |
| 2 | Plenary #3 Micron | "Memory to Power the AI Era" — 메모리 = AI 시대 동력원 포지셔닝 |
| 3 | Evening Panel — Hoshik Kim | SK하이닉스 시스템 관점 토론 — "메모리 단일 부품 → AI 시스템 변수"로 시야 확장 |
| 4 | HB3DM 데뷔 | HBM 외 첫 대안 발표 — 경쟁 구도 변화 시그널 |
이 4중 무대가 동시에 깔리는 근본 이유는 HBM4의 변곡점입니다. Base die가 DRAM 공정 → 로직 공정으로 전환되며 대역폭이 HBM3E 대비 2배. 이 변화가 "메모리 = 단순 부품"에서 "메모리 = AI 인프라 결정 변수"로 격상되는 신호이고, 학회 프로그램 전체가 그에 맞춰 재구성된 것입니다.
한국 메모리 산업 시각 — 기회와 위협
🟢 기회
SK하이닉스·삼성이 HBM4 base die 로직화 양산을 leader로 가져가고 있습니다. VLSI 2026은 IEDM에서 보여준 "가능성"을 양산 데이터로 증명하는 자리. 3D Memory Focus Session이 마침 신설된 만큼, 한국 메모리 발표가 학회의 메인 무대 한가운데에서 노출됩니다. 본인 발표든 청중 입장이든, 이번 학회에서 가져갈 트랙이 명확합니다.
🔴 위협
HB3DM 데뷔는 HBM 3사 독점 구도의 첫 균열 시그널. 단기 위협은 아닙니다 — HB3DM이 양산 단계까지 가려면 시간이 필요하고, HBM4의 기술 격차도 만만치 않음. 다만 SoftBank가 Arm 기반 전체 AI 스택을 노린다면 메모리 자체화는 자연스러운 수순. 한국 메모리 입장에서 이번 학회의 HB3DM 발표 스펙·로드맵을 정확히 읽어두는 게 향후 1~2년 portfolio 전략의 첫 데이터 포인트입니다.
가는 사람을 위한 결론: VLSI 2026에서 메모리 진영이라면 ① 본인/회사 발표 (HBM4 base die 로직화 양산 데이터), ② Hoshik Kim 패널 토론 (시스템 관점 인사이트), ③ HB3DM 발표 (경쟁 구도 첫 데이터) — 이 셋은 우선순위가 명확합니다.
가는 사람 D-38 체크리스트
학회 D-day 기준 시기별 액션을 정리했습니다. 한 달 남짓이면 등록·항공·숙소가 1순위, 그 다음 논문 리스트, 마지막에 현장 동선입니다.
결재 · 등록 · 항공 · 숙소
- ☐ Early Bird 등록 — 통상 5월 중순 마감. 회사 결재 못 떨어지면 정상가 ($100~200 추가). IEEE 회원이면 신청 먼저
- ☐ Hilton Hawaiian Village 컨퍼런스 블록 — 6월 하와이는 성수기. 등록 오픈 즉시 호텔 잡기. 학회 블록 할인율 공식 링크에서
- ☐ 항공권 — 인천→호놀룰루 직항 (대한항공·아시아나, 약 8~9시간). 6월 가격 상승 곡선 가파름
- ☐ ESTA — 처음이면 출발 72시간 전 권장. 갑자기 지연되는 케이스 있으니 이번 달 안에 처리
- ☐ 회사 출장 결재 근거 3종 — ① 본인/팀 분야 발표 fit, ② 경쟁사 동향 (HB3DM·HBM4 base die 로직화), ③ 만나야 할 사람
논문 미리 읽기 · 미팅 잡기
- ☐ Technical Program 정독 — Focus Session별 세부 논문 list가 D-14~D-7 사이 풀림. 관심 영역 30~50편 → 우선순위 표시
- ☐ 사전 미팅 (LinkedIn / 메일) — 학회 직전이 응답률 가장 높음. "현장에서 15분만" 톤. 약속 잡으면 학회 시간 효율 2배
- ☐ Short Course (일요일 6/14) 등록 결정 — 별도 등록비 ~$300~500. 본인 분야면 가치 있음 (50분씩 8~10개 = 분야 reset)
- ☐ 옷차림·준비물 — 비즈니스 캐주얼. 본인 발표면 셔츠+슬랙스. 명함 50~100매. US 어댑터·얇은 자켓 (실내 에어컨 강함)
세션 우선순위 · 네트워킹 동선
- ☐ 시차 대비 — 하와이 시차 19시간 (실질 +5시간 전날). 도착 첫날 가볍게, Plenary는 첫날 오전이라 졸음 대비
- ☐ 세션 우선순위 — 동시 트랙 진행 = 다 못 봄. 사전 list로 30분 단위 scheduling. Plenary는 빠지지 말 것
- ☐ 저녁 일정 3종 — Reception (월) + Evening Panel (화 8~10 PM, "AI 버블") + Banquet. 한 개라도 빠지면 학회 가치 절반
- ☐ 한국인 비공식 모임 — 누군가 통해 사전 contact. 보통 학회 둘째 날 저녁에 자연 발생. 한국 기업 동료 직접 contact 효율적
- ☐ 학회 후 follow-up — 만난 사람에게 일주일 안 메일. 사진·논문·다음 만남 한 줄. 학회 가치는 follow-up에서 결정됨
다음 업데이트 예고 — VLSI 2026 시리즈
| 시점 | 업데이트 | 다룰 내용 |
|---|---|---|
| D-14 (5/31) | 핵심 논문 프리뷰 | Technical Program 공개 후 한국 기업·핫토픽 논문 추출 |
| D-0 (6/14) | 현장 리포트 | Plenary·Focus Session 첫날 인상 |
| D+5 (6/23) | 리캡 | 학회 전체 결산·핵심 데이터·한국 기업 발표 정리 |
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